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WNSC2D20650CJQ
WNSC2D20650CJQ

WNSC2D20650CJQ

Detalles del producto

Pago y términos de envío

Descripción: Se trata de una combinación de dos tipos de carburo de silicio.

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Arrays de diodos
estado del producto:
Actividad
Corriente media rectificada (Io) (por diodo):
20A
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
175°C
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1,7 V @ 10 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC)
Series:
-
Configuración del diodo:
1 Cátodo común de pareja
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-3PF
Tiempo de recuperación inverso (trr):
0 años
El Sr.:
Semiconductores de WeEn
Tecnología:
Sic (carburo de silicio) Schottky
Envase / estuche:
TO-3P-3, SC-65-3
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Velocidad:
No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)
Número del producto de base:
Se trata de la WNSC2
Corriente - fuga inversa @ Vr:
50 μA @ 650 V
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Arrays de diodos
estado del producto:
Actividad
Corriente media rectificada (Io) (por diodo):
20A
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
175°C
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1,7 V @ 10 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC)
Series:
-
Configuración del diodo:
1 Cátodo común de pareja
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-3PF
Tiempo de recuperación inverso (trr):
0 años
El Sr.:
Semiconductores de WeEn
Tecnología:
Sic (carburo de silicio) Schottky
Envase / estuche:
TO-3P-3, SC-65-3
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Velocidad:
No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)
Número del producto de base:
Se trata de la WNSC2
Corriente - fuga inversa @ Vr:
50 μA @ 650 V
WNSC2D20650CJQ
Diodo 1 Pareja Cátodo común 650 V 20A a través del agujero TO-3P-3, SC-65-3

Tags:

Componentes electrónicos del OEM STM32L073V8T6,

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