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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad deberán ser las siguientes:

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Descripción: SIC SBD 1200 V 50 A doble paralelo

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Descripción de producto

Resaltar:

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Arrays de diodos	estado del producto:	Actividad
Corriente media rectificada (Io) (por diodo):	El valor de las emisiones de CO2 será el siguiente:	Temperatura de funcionamiento - Enlace:	-55 °C ~ 175 °C
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	1,8 V @ 50 A	Paquete:	El tubo
Series:	-	Configuración del diodo:	2 Independiente
Paquete de dispositivos del proveedor:	Se utilizará para la obtención de los resultados de ensayo.	Tiempo de recuperación inverso (trr):	0 años
El Sr.:	Tecnología de microchips	Tecnología:	Sic (carburo de silicio) Schottky
Envase / estuche:	El SOT-227-4, miniBLOC	La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	Las demás:
Tipo de montaje:	Montura del chasis	Velocidad:	No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)
Número del producto de base:	Las condiciones de los controles de seguridad	Corriente - fuga inversa @ Vr:	µA 200 @ 1200 V

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Arrays de diodos
estado del producto:	Actividad
Corriente media rectificada (Io) (por diodo):	El valor de las emisiones de CO2 será el siguiente:
Temperatura de funcionamiento - Enlace:	-55 °C ~ 175 °C
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	1,8 V @ 50 A
Paquete:	El tubo
Series:	-
Configuración del diodo:	2 Independiente
Paquete de dispositivos del proveedor:	Se utilizará para la obtención de los resultados de ensayo.
Tiempo de recuperación inverso (trr):	0 años
El Sr.:	Tecnología de microchips
Tecnología:	Sic (carburo de silicio) Schottky
Envase / estuche:	El SOT-227-4, miniBLOC
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	Las demás:
Tipo de montaje:	Montura del chasis
Velocidad:	No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)
Número del producto de base:	Las condiciones de los controles de seguridad
Corriente - fuga inversa @ Vr:	µA 200 @ 1200 V