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Descripción: DIODO SIL CARBIDE 650V 28A 4QFN

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Descripción de producto

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Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos	estado del producto:	Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:	20 µA a 650 V	Tipo de montaje:	Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	1.5 V @ 8 A	Paquete:	Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Series:	-	Capacidad @ Vr, F:	518pF a 0V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:	Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de las categorías A y B se aplicarán	El Sr.:	Wolfspeed, Inc.
Tecnología:	Sic (carburo de silicio) Schottky	Temperatura de funcionamiento - Enlace:	-55 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:	Se aplicará el método de cálculo de las emisiones.	La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	650 V
Corriente - promedio rectificado (Io):	28A	Velocidad:	No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:	Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:	20 µA a 650 V
Tipo de montaje:	Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	1.5 V @ 8 A
Paquete:	Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Series:	-
Capacidad @ Vr, F:	518pF a 0V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:	Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de las categorías A y B se aplicarán
El Sr.:	Wolfspeed, Inc.
Tecnología:	Sic (carburo de silicio) Schottky
Temperatura de funcionamiento - Enlace:	-55 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:	Se aplicará el método de cálculo de las emisiones.
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	650 V
Corriente - promedio rectificado (Io):	28A
Velocidad:	No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)