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Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos	estado del producto:	No está disponible
Corriente - fuga inversa @ Vr:	50 μA @ 650 V	Tipo de montaje:	Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	1.8 V @ 8 A	Paquete:	El tubo
Series:	Gen2	Capacidad @ Vr, F:	415pF a 1V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:	Se trata de un sistema de control de las emisiones de CO2	Tiempo de recuperación inverso (trr):	0 años
El Sr.:	Es el nombre de la compañía.	Tecnología:	Sic (carburo de silicio) Schottky
Temperatura de funcionamiento - Enlace:	-55 °C ~ 175 °C	Envase / estuche:	TO-220-2
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	650 V	Corriente - promedio rectificado (Io):	23A
Velocidad:	No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:	No está disponible
Corriente - fuga inversa @ Vr:	50 μA @ 650 V
Tipo de montaje:	Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	1.8 V @ 8 A
Paquete:	El tubo
Series:	Gen2
Capacidad @ Vr, F:	415pF a 1V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:	Se trata de un sistema de control de las emisiones de CO2
Tiempo de recuperación inverso (trr):	0 años
El Sr.:	Es el nombre de la compañía.
Tecnología:	Sic (carburo de silicio) Schottky
Temperatura de funcionamiento - Enlace:	-55 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:	TO-220-2
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	650 V
Corriente - promedio rectificado (Io):	23A
Velocidad:	No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)

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Diodo 650 V 23A a través del agujero TO-220-2L

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