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DD1200S17H4B2BOSA2
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Descripción: Modulo de diodo 1200V 1200A

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Arrays de diodos
estado del producto:
Actividad
Corriente media rectificada (Io) (por diodo):
-
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-40 °C ~ 150 °C
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
2.1 V @ 1200 A
Paquete:
Envases
Series:
-
Configuración del diodo:
2 Independiente
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se aplicará el método siguiente:
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Tecnología:
Estándar
Envase / estuche:
módulo
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Tipo de montaje:
Montura del chasis
Velocidad:
La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
DD1200
Corriente - fuga inversa @ Vr:
1250 A @ 900 V
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Arrays de diodos
estado del producto:
Actividad
Corriente media rectificada (Io) (por diodo):
-
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-40 °C ~ 150 °C
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
2.1 V @ 1200 A
Paquete:
Envases
Series:
-
Configuración del diodo:
2 Independiente
Paquete de dispositivos del proveedor:
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El Sr.:
Tecnologías Infineon
Tecnología:
Estándar
Envase / estuche:
módulo
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Tipo de montaje:
Montura del chasis
Velocidad:
La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
DD1200
Corriente - fuga inversa @ Vr:
1250 A @ 900 V
DD1200S17H4B2BOSA2
Modulo de montaje del chasis de 1700 V independiente

Tags:

Componentes electrónicos del OEM STM32L073V8T6,

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