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Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO252-2

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Descripción de producto

Resaltar:

Category:	Discrete Semiconductor Products Diodes Rectifiers Single Diodes	Product Status:	Active
Current - Reverse Leakage @ Vr:	33 µA @ 1200 V	Mounting Type:	Surface Mount
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:	1.8 V @ 5 A	Package:	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Series:	CoolSiC™+	Capacitance @ Vr, F:	301pF @ 1V, 1MHz
Supplier Device Package:	PG-TO252-2	Reverse Recovery Time (trr):	0 ns
Mfr:	Infineon Technologies	Technology:	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Operating Temperature - Junction:	-55°C ~ 175°C	Package / Case:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):	1200 V	Current - Average Rectified (Io):	5A
Speed:	No Recovery Time > 500mA (Io)	Base Product Number:	IDM05G120

Category:	Discrete Semiconductor Products Diodes Rectifiers Single Diodes
Product Status:	Active
Current - Reverse Leakage @ Vr:	33 µA @ 1200 V
Mounting Type:	Surface Mount
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:	1.8 V @ 5 A
Package:	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Series:	CoolSiC™+
Capacitance @ Vr, F:	301pF @ 1V, 1MHz
Supplier Device Package:	PG-TO252-2
Reverse Recovery Time (trr):	0 ns
Mfr:	Infineon Technologies
Technology:	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Operating Temperature - Junction:	-55°C ~ 175°C
Package / Case:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):	1200 V
Current - Average Rectified (Io):	5A
Speed:	No Recovery Time > 500mA (Io)
Base Product Number:	IDM05G120