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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad deberán cumplirse en el caso de los equipos de seguridad.

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Descripción: Diodo de carbono de silício 1.2KV 65A TO247-3

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Descripción de producto

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Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos	estado del producto:	Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:	µA 200 @ 1200 V	Tipo de montaje:	Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	1.8 V @ 30 A	Paquete:	El tubo
Series:	-	Capacidad @ Vr, F:	141pF @ 400V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:	TO-247-3	Tiempo de recuperación inverso (trr):	0 años
El Sr.:	Tecnología de microchips	Tecnología:	Sic (carburo de silicio) Schottky
Temperatura de funcionamiento - Enlace:	-55 °C ~ 175 °C	Envase / estuche:	TO-247-3
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	Las demás:	Corriente - promedio rectificado (Io):	Las demás:
Velocidad:	No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)	Número del producto de base:	Las demás categorías:

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:	Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:	µA 200 @ 1200 V
Tipo de montaje:	Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	1.8 V @ 30 A
Paquete:	El tubo
Series:	-
Capacidad @ Vr, F:	141pF @ 400V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:	TO-247-3
Tiempo de recuperación inverso (trr):	0 años
El Sr.:	Tecnología de microchips
Tecnología:	Sic (carburo de silicio) Schottky
Temperatura de funcionamiento - Enlace:	-55 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:	TO-247-3
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):	Las demás:
Velocidad:	No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)
Número del producto de base:	Las demás categorías: