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H.E.R.A.808G
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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
10 μA @ 1000 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.7 V @ 8 A
Paquete:
El tubo
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
55pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-220AC
Tiempo de recuperación inverso (trr):
80 ns
El Sr.:
Taiwán Semiconductor Corporation
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:
TO-220-2
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
8A
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
HERA808
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
10 μA @ 1000 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.7 V @ 8 A
Paquete:
El tubo
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
55pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-220AC
Tiempo de recuperación inverso (trr):
80 ns
El Sr.:
Taiwán Semiconductor Corporation
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:
TO-220-2
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
8A
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
HERA808
H.E.R.A.808G
Diodo 1000 V 8A a través del agujero TO-220AC

Tags:

Componentes electrónicos del OEM STM32L073V8T6,

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