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Los datos de las pruebas de detección se deben incluir en la lista de pruebas de detección.

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Description: PM-DIODE-SIC-SBD-D1P

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Category:
Discrete Semiconductor Products Diodes Rectifiers Diode Arrays
Product Status:
Active
Current - Average Rectified (Io) (per Diode):
200A
Operating Temperature - Junction:
-40°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:
1.8 V @ 200 A
Package:
Box
Series:
-
Diode Configuration:
1 Pair Series Connection
Supplier Device Package:
D1P
Reverse Recovery Time (trr):
0 ns
Mfr:
Microchip Technology
Technology:
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Package / Case:
Module
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):
700 V
Mounting Type:
Chassis Mount
Speed:
No Recovery Time > 500mA (Io)
Base Product Number:
MSCDC200
Current - Reverse Leakage @ Vr:
800 µA @ 700 V
Category:
Discrete Semiconductor Products Diodes Rectifiers Diode Arrays
Product Status:
Active
Current - Average Rectified (Io) (per Diode):
200A
Operating Temperature - Junction:
-40°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:
1.8 V @ 200 A
Package:
Box
Series:
-
Diode Configuration:
1 Pair Series Connection
Supplier Device Package:
D1P
Reverse Recovery Time (trr):
0 ns
Mfr:
Microchip Technology
Technology:
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Package / Case:
Module
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):
700 V
Mounting Type:
Chassis Mount
Speed:
No Recovery Time > 500mA (Io)
Base Product Number:
MSCDC200
Current - Reverse Leakage @ Vr:
800 µA @ 700 V
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Diodo de serie 1 conexión de serie de pares 700 V 200A módulo de montaje del chasis