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Los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo deberán cumplirse en el caso de los equipos de ensayo.

Detalles del producto

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Descripción: Se aplican las siguientes medidas:

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Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
La última vez que compré
Corriente - fuga inversa @ Vr:
El valor de las emisiones de dióxido de carbono se calculará en función de las emisiones de dióxido
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.7 V @ 4 A
Paquete:
El tubo
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-220F
Tiempo de recuperación inverso (trr):
0 años
El Sr.:
Semiconductores de WeEn
Tecnología:
Sic (carburo de silicio) Schottky
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
175°C (máximo)
Envase / estuche:
TO-220-2 Envase completo, comprimido aislado
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corriente - promedio rectificado (Io):
4a
Velocidad:
No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)
Número del producto de base:
NXPSC
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
La última vez que compré
Corriente - fuga inversa @ Vr:
El valor de las emisiones de dióxido de carbono se calculará en función de las emisiones de dióxido
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.7 V @ 4 A
Paquete:
El tubo
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-220F
Tiempo de recuperación inverso (trr):
0 años
El Sr.:
Semiconductores de WeEn
Tecnología:
Sic (carburo de silicio) Schottky
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
175°C (máximo)
Envase / estuche:
TO-220-2 Envase completo, comprimido aislado
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corriente - promedio rectificado (Io):
4a
Velocidad:
No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)
Número del producto de base:
NXPSC
Los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo deberán cumplirse en el caso de los equipos de ensayo.
Diodo 650 V 4A a través del agujero TO-220F