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MUR4100EG
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Detalles del producto

Pago y términos de envío

Descripción: Diodo de generación de energía 1KV 4A AXIAL

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
25 μA @ 1000 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.85 V @ 4 A
Paquete:
Las demás
Series:
SWITCHMODE™
Capacidad @ Vr, F:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
el eje
Tiempo de recuperación inverso (trr):
100 ns
El Sr.:
En el caso de las
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
DO-201AA, DO-27, axial
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
4a
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
MUR4100
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
25 μA @ 1000 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.85 V @ 4 A
Paquete:
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Series:
SWITCHMODE™
Capacidad @ Vr, F:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
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Tiempo de recuperación inverso (trr):
100 ns
El Sr.:
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Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
DO-201AA, DO-27, axial
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
4a
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
MUR4100
MUR4100EG
Diodo 1000 V 4A a través del eje del agujero

Tags:

Componentes electrónicos del OEM STM32L073V8T6,

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