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El número de unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad.

Detalles del producto

Pago y términos de envío

Descripción: Diodo SIL CARB 650V 9A TO220-2-1

Consiga el mejor precio
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
No para nuevos diseños
Corriente - fuga inversa @ Vr:
El valor de las emisiones de CO2 de las instalaciones de combustión interna
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.7 V @ 9 A
Paquete:
El tubo
Series:
CoolSiC™+
Capacidad @ Vr, F:
Las emisiones de gases de efecto invernadero se calcularán en función de las emisiones de gases de e
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se trata de una serie de medidas de seguridad.
Tiempo de recuperación inverso (trr):
0 años
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Tecnología:
Sic (carburo de silicio) Schottky
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
TO-220-2
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corriente - promedio rectificado (Io):
9A
Velocidad:
No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)
Número del producto de base:
Se trata de un producto de la familia de los derivados de la leche.
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
No para nuevos diseños
Corriente - fuga inversa @ Vr:
El valor de las emisiones de CO2 de las instalaciones de combustión interna
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.7 V @ 9 A
Paquete:
El tubo
Series:
CoolSiC™+
Capacidad @ Vr, F:
Las emisiones de gases de efecto invernadero se calcularán en función de las emisiones de gases de e
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se trata de una serie de medidas de seguridad.
Tiempo de recuperación inverso (trr):
0 años
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Tecnología:
Sic (carburo de silicio) Schottky
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
TO-220-2
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corriente - promedio rectificado (Io):
9A
Velocidad:
No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)
Número del producto de base:
Se trata de un producto de la familia de los derivados de la leche.
El número de unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad.
Diodo 650 V 9A a través del agujero PG-TO220-2-1