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Descripción: DIODO SIL CARB 650V 10A TO247-3

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Descripción de producto

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Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos	estado del producto:	Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:	180 µA a 650 V	Tipo de montaje:	Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	1,7 V @ 10 A	Paquete:	El tubo
Series:	CoolSiC™+	Capacidad @ Vr, F:	Las emisiones de gases de efecto invernadero se calcularán en función de las emisiones de gases de e
Paquete de dispositivos del proveedor:	PG-TO247-3	Tiempo de recuperación inverso (trr):	0 años
El Sr.:	Tecnologías Infineon	Tecnología:	Sic (carburo de silicio) Schottky
Temperatura de funcionamiento - Enlace:	-55 °C ~ 175 °C	Envase / estuche:	TO-247-3
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	650 V	Corriente - promedio rectificado (Io):	10A
Velocidad:	No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)	Número del producto de base:	Se trata de un sistema de control de la calidad.

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:	Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:	180 µA a 650 V
Tipo de montaje:	Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	1,7 V @ 10 A
Paquete:	El tubo
Series:	CoolSiC™+
Capacidad @ Vr, F:	Las emisiones de gases de efecto invernadero se calcularán en función de las emisiones de gases de e
Paquete de dispositivos del proveedor:	PG-TO247-3
Tiempo de recuperación inverso (trr):	0 años
El Sr.:	Tecnologías Infineon
Tecnología:	Sic (carburo de silicio) Schottky
Temperatura de funcionamiento - Enlace:	-55 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:	TO-247-3
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	650 V
Corriente - promedio rectificado (Io):	10A
Velocidad:	No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)
Número del producto de base:	Se trata de un sistema de control de la calidad.