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Bajo las condiciones de la norma BAW75-TAP
Bajo las condiciones de la norma BAW75-TAP

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Detalles del producto

Pago y términos de envío

Description: DIODE GEN PURP 25V 300MA DO35

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Category:
Discrete Semiconductor Products Diodes Rectifiers Single Diodes
Product Status:
Active
Current - Reverse Leakage @ Vr:
100 nA @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:
1 V @ 30 mA
Package:
Cut Tape (CT) Tape & Box (TB)
Series:
Automotive, AEC-Q101
Capacitance @ Vr, F:
4pF @ 0V, 1MHz
Supplier Device Package:
DO-35 (DO-204AH)
Reverse Recovery Time (trr):
4 ns
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Technology:
Standard
Operating Temperature - Junction:
175°C (Max)
Package / Case:
DO-204AH, DO-35, Axial
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):
25 V
Current - Average Rectified (Io):
300mA
Speed:
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Base Product Number:
BAW75
Category:
Discrete Semiconductor Products Diodes Rectifiers Single Diodes
Product Status:
Active
Current - Reverse Leakage @ Vr:
100 nA @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:
1 V @ 30 mA
Package:
Cut Tape (CT) Tape & Box (TB)
Series:
Automotive, AEC-Q101
Capacitance @ Vr, F:
4pF @ 0V, 1MHz
Supplier Device Package:
DO-35 (DO-204AH)
Reverse Recovery Time (trr):
4 ns
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Technology:
Standard
Operating Temperature - Junction:
175°C (Max)
Package / Case:
DO-204AH, DO-35, Axial
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):
25 V
Current - Average Rectified (Io):
300mA
Speed:
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Base Product Number:
BAW75
Bajo las condiciones de la norma BAW75-TAP
Diodo de 25 V 300 mA a través del agujero DO-35 (DO-204AH)

Tags:

Componentes electrónicos del OEM STM32L073V8T6,

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