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NTE627
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Descripción: R-SI DUAL 200V 12A 150NS, para el cual se utiliza el sistema de control de velocidad.

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Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Arrays de diodos
estado del producto:
Actividad
Corriente media rectificada (Io) (por diodo):
8A
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 150 °C
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
950 mV @ 6 A
Paquete:
El bolso
Series:
-
Configuración del diodo:
2 Independiente
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-220
Tiempo de recuperación inverso (trr):
35 ns
El Sr.:
NTE Electronics, Inc. y sus subsidiarios
Tecnología:
Estándar
Envase / estuche:
TO-220-3
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Corriente - fuga inversa @ Vr:
10 μA @ 200 V
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Arrays de diodos
estado del producto:
Actividad
Corriente media rectificada (Io) (por diodo):
8A
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 150 °C
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
950 mV @ 6 A
Paquete:
El bolso
Series:
-
Configuración del diodo:
2 Independiente
Paquete de dispositivos del proveedor:
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Tiempo de recuperación inverso (trr):
35 ns
El Sr.:
NTE Electronics, Inc. y sus subsidiarios
Tecnología:
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Envase / estuche:
TO-220-3
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Corriente - fuga inversa @ Vr:
10 μA @ 200 V
NTE627
Diodo 2 independiente 200 V 8A a través del agujero TO-220-3

Tags:

Componentes electrónicos del OEM STM32L073V8T6,

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