Detalles del producto
Pago y términos de envío
Descripción: R-SI DUAL 60V 60A Escocés
Categoría: |
Productos discretos de semiconductores
Diodos
Rectificadores
Arrays de diodos |
estado del producto: |
Actividad |
Corriente media rectificada (Io) (por diodo): |
30A |
Temperatura de funcionamiento - Enlace: |
-65 °C ~ 125 °C |
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): |
630 mV @ 30 A |
Paquete: |
El bolso |
Series: |
- |
Configuración del diodo: |
2 Independiente |
Paquete de dispositivos del proveedor: |
TO-3P |
El Sr.: |
NTE Electronics, Inc. y sus subsidiarios |
Tecnología: |
¿ Qué es esto? |
Envase / estuche: |
TO-3P-3, SC-65-3 |
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo): |
Las demás: |
Tipo de montaje: |
Orificio pasante |
Velocidad: |
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io) |
Corriente - fuga inversa @ Vr: |
10 μA @ 60 V |
Categoría: |
Productos discretos de semiconductores
Diodos
Rectificadores
Arrays de diodos |
estado del producto: |
Actividad |
Corriente media rectificada (Io) (por diodo): |
30A |
Temperatura de funcionamiento - Enlace: |
-65 °C ~ 125 °C |
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): |
630 mV @ 30 A |
Paquete: |
El bolso |
Series: |
- |
Configuración del diodo: |
2 Independiente |
Paquete de dispositivos del proveedor: |
TO-3P |
El Sr.: |
NTE Electronics, Inc. y sus subsidiarios |
Tecnología: |
¿ Qué es esto? |
Envase / estuche: |
TO-3P-3, SC-65-3 |
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo): |
Las demás: |
Tipo de montaje: |
Orificio pasante |
Velocidad: |
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io) |
Corriente - fuga inversa @ Vr: |
10 μA @ 60 V |