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Descripción: Se trata de un sistema de rectificación de carburo de silicio para la producción de carburo de silic

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Descripción de producto

Resaltar:

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos	estado del producto:	Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:	250 µA @ 650 V	Tipo de montaje:	Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	1.5 V @ 10 A	Paquete:	Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Series:	-	Capacidad @ Vr, F:	434pF @ 100mV, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:	TO-252 (tipo WX)	El Sr.:	Diodos incorporados
Tecnología:	Sic (carburo de silicio) Schottky	Temperatura de funcionamiento - Enlace:	-55 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:	TO-252-3, DPak (2 Pistas + Tab), SC-63	La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	650 V
Corriente - promedio rectificado (Io):	10A	Velocidad:	La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:	DSC10

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:	Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:	250 µA @ 650 V
Tipo de montaje:	Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	1.5 V @ 10 A
Paquete:	Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Series:	-
Capacidad @ Vr, F:	434pF @ 100mV, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:	TO-252 (tipo WX)
El Sr.:	Diodos incorporados
Tecnología:	Sic (carburo de silicio) Schottky
Temperatura de funcionamiento - Enlace:	-55 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:	TO-252-3, DPak (2 Pistas + Tab), SC-63
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	650 V
Corriente - promedio rectificado (Io):	10A
Velocidad:	La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:	DSC10