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Los datos de las pruebas de detección se deben incluir en el documento de identificación.

Detalles del producto

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Descripción: DIODO SIL CARB 650V 8A TO263-2

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Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 175 °C
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.8 V @ 8 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Series:
CoolSiC™+
Capacidad @ Vr, F:
250 pF @ 1V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
PG-TO263-2
Tiempo de recuperación inverso (trr):
0 años
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Tecnología:
Sic (carburo de silicio) Schottky
Envase / estuche:
TO-263-3, D2Pak (2 plumas + pestaña), TO-263AB
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corriente - promedio rectificado (Io):
8A
Velocidad:
No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)
Número del producto de base:
Se trata de una serie de medidas de seguridad.
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 175 °C
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.8 V @ 8 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Series:
CoolSiC™+
Capacidad @ Vr, F:
250 pF @ 1V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
PG-TO263-2
Tiempo de recuperación inverso (trr):
0 años
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Tecnología:
Sic (carburo de silicio) Schottky
Envase / estuche:
TO-263-3, D2Pak (2 plumas + pestaña), TO-263AB
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corriente - promedio rectificado (Io):
8A
Velocidad:
No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)
Número del producto de base:
Se trata de una serie de medidas de seguridad.
Los datos de las pruebas de detección se deben incluir en el documento de identificación.
Diodo 650 V 8A montado en la superficie PG-TO263-2