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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.

nte518

Detalles del producto

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Descripción: Diodo genético de 10KV 25MA axial

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Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
1 μA @ 10000 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
30 V @ 25 mA
Paquete:
El bolso
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
el eje
El Sr.:
NTE Electronics, Inc. y sus subsidiarios
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:
el eje
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
10000 V
Corriente - promedio rectificado (Io):
25 mA
Velocidad:
Se trata de una señal pequeña = < 200 mA (Io), cualquier velocidad
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
1 μA @ 10000 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
30 V @ 25 mA
Paquete:
El bolso
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
el eje
El Sr.:
NTE Electronics, Inc. y sus subsidiarios
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:
el eje
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
10000 V
Corriente - promedio rectificado (Io):
25 mA
Velocidad:
Se trata de una señal pequeña = < 200 mA (Io), cualquier velocidad
nte518
Diodo 10000 V 25 mA a través del eje del agujero