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Descripción: El número de puntos de referencia de las unidades de ensayo se calculará en función de las caracterí

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Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Arrays de diodos
estado del producto:
Actividad
Corriente media rectificada (Io) (por diodo):
3A
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-40°C ~ 175°C
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
820 mV @ 3 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Configuración del diodo:
2 Independiente
Paquete de dispositivos del proveedor:
FlatPAK 5x6 (doble)
El Sr.:
Vishay General Semiconductor - División de diodos
Tecnología:
¿ Qué es esto?
Envase / estuche:
8-PowerTDFN
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
120 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
V6KM120
Corriente - fuga inversa @ Vr:
300 µA @ 120 V
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Arrays de diodos
estado del producto:
Actividad
Corriente media rectificada (Io) (por diodo):
3A
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-40°C ~ 175°C
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
820 mV @ 3 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Configuración del diodo:
2 Independiente
Paquete de dispositivos del proveedor:
FlatPAK 5x6 (doble)
El Sr.:
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Tecnología:
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Envase / estuche:
8-PowerTDFN
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
120 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
V6KM120
Corriente - fuga inversa @ Vr:
300 µA @ 120 V
V6KM120DUHM3/H
Diodo 2 independiente 120 V 3A Montaje de superficie 8-PowerTDFN

Tags:

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