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Detalles del producto

Pago y términos de envío

Descripción: Diodo de generación de energía PURP 1.2KV 1A SOD57

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
5 μA @ 1200 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
3.4 V @ 1 A
Paquete:
Corte la cinta (los CT) Cinta y caja (TB)
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
SOD-57
Tiempo de recuperación inverso (trr):
75 ns
El Sr.:
Vishay General Semiconductor - División de diodos
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
125°C (máximo)
Envase / estuche:
SOD-57, axial
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
1a
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
SF1200
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
5 μA @ 1200 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
3.4 V @ 1 A
Paquete:
Corte la cinta (los CT) Cinta y caja (TB)
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
SOD-57
Tiempo de recuperación inverso (trr):
75 ns
El Sr.:
Vishay General Semiconductor - División de diodos
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
125°C (máximo)
Envase / estuche:
SOD-57, axial
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
1a
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
SF1200
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Diodo 1200 V 1A a través del agujero SOD-57

Tags:

Componentes electrónicos del OEM STM32L073V8T6,

32 componentes electrónicos mordidos del OEM del microcontrolador,

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