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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo se especifican en el anexo II.

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Descripción: El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de l

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Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
5 μA @ 600 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.1 V @ 3 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
40pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
DO-201AD
Tiempo de recuperación inverso (trr):
2 μs
El Sr.:
Diodos incorporados
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:
DO-201AD, axial
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
3A
Velocidad:
La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
1N5406
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
5 μA @ 600 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.1 V @ 3 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
40pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
DO-201AD
Tiempo de recuperación inverso (trr):
2 μs
El Sr.:
Diodos incorporados
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:
DO-201AD, axial
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
3A
Velocidad:
La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
1N5406
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo se especifican en el anexo II.
Diodo 600 V 3A a través del agujero DO-201AD