Detalles del producto
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Descripción: DIODO GEN PURP 100V 1.4A DO221AC
Categoría: |
Productos discretos de semiconductores
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos |
estado del producto: |
Actividad |
Corriente - fuga inversa @ Vr: |
10 μA @ 100 V |
Tipo de montaje: |
Montura de la superficie |
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): |
1.1 V @ 3 A |
Paquete: |
Cintas y bobinas (TR) |
Series: |
eSMP® |
Capacidad @ Vr, F: |
19pF @ 4V, 1MHz |
Paquete de dispositivos del proveedor: |
Se incluyen los siguientes productos: |
Tiempo de recuperación inverso (trr): |
1,5 µs |
El Sr.: |
Vishay General Semiconductor - División de diodos |
Tecnología: |
Estándar |
Temperatura de funcionamiento - Enlace: |
-55 °C ~ 175 °C |
Envase / estuche: |
DO-221AC, SMA Plano de conducción |
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo): |
Las demás: |
Corriente - promedio rectificado (Io): |
1.4A |
Velocidad: |
La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io) |
Número del producto de base: |
Sección 30 |
Categoría: |
Productos discretos de semiconductores
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos |
estado del producto: |
Actividad |
Corriente - fuga inversa @ Vr: |
10 μA @ 100 V |
Tipo de montaje: |
Montura de la superficie |
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): |
1.1 V @ 3 A |
Paquete: |
Cintas y bobinas (TR) |
Series: |
eSMP® |
Capacidad @ Vr, F: |
19pF @ 4V, 1MHz |
Paquete de dispositivos del proveedor: |
Se incluyen los siguientes productos: |
Tiempo de recuperación inverso (trr): |
1,5 µs |
El Sr.: |
Vishay General Semiconductor - División de diodos |
Tecnología: |
Estándar |
Temperatura de funcionamiento - Enlace: |
-55 °C ~ 175 °C |
Envase / estuche: |
DO-221AC, SMA Plano de conducción |
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo): |
Las demás: |
Corriente - promedio rectificado (Io): |
1.4A |
Velocidad: |
La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io) |
Número del producto de base: |
Sección 30 |