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Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo se deben incluir en la lista de datos de ensayo de los equipos.

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Descripción: Se trata de una combinación de dos tipos de carburo de silicio.

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Descripción de producto

Resaltar:

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Arrays de diodos	estado del producto:	Actividad
Corriente media rectificada (Io) (por diodo):	16A	Temperatura de funcionamiento - Enlace:	175°C
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	1.7 V @ 8 A	Paquete:	El tubo
Series:	-	Configuración del diodo:	1 Cátodo común de pareja
Paquete de dispositivos del proveedor:	TO-247-3	Tiempo de recuperación inverso (trr):	0 años
El Sr.:	Semiconductores de WeEn	Tecnología:	Sic (carburo de silicio) Schottky
Envase / estuche:	TO-247-3	La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	650 V
Tipo de montaje:	Orificio pasante	Velocidad:	No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)
Número del producto de base:	Se trata de la WNSC2	Corriente - fuga inversa @ Vr:	40 μA @ 650 V

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Arrays de diodos
estado del producto:	Actividad
Corriente media rectificada (Io) (por diodo):	16A
Temperatura de funcionamiento - Enlace:	175°C
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	1.7 V @ 8 A
Paquete:	El tubo
Series:	-
Configuración del diodo:	1 Cátodo común de pareja
Paquete de dispositivos del proveedor:	TO-247-3
Tiempo de recuperación inverso (trr):	0 años
El Sr.:	Semiconductores de WeEn
Tecnología:	Sic (carburo de silicio) Schottky
Envase / estuche:	TO-247-3
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	650 V
Tipo de montaje:	Orificio pasante
Velocidad:	No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)
Número del producto de base:	Se trata de la WNSC2
Corriente - fuga inversa @ Vr:	40 μA @ 650 V