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El número de unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad.

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Description: SILICON CARBIDE SCHOTTKY DI

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Descripción de producto

Resaltar:

Category:	Discrete Semiconductor Products Diodes Rectifiers Single Diodes	Product Status:	Active
Current - Reverse Leakage @ Vr:	100 µA @ 650 V	Mounting Type:	Through Hole
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:	1.7 V @ 30 A	Package:	Tube
Series:	-	Capacitance @ Vr, F:	980pF @ 1V, 1MHz
Supplier Device Package:	TO-247-2	Reverse Recovery Time (trr):	0 ns
Mfr:	WeEn Semiconductors	Technology:	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Operating Temperature - Junction:	175°C	Package / Case:	TO-247-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):	650 V	Current - Average Rectified (Io):	30A
Speed:	No Recovery Time > 500mA (Io)	Base Product Number:	WNSC2

Category:	Discrete Semiconductor Products Diodes Rectifiers Single Diodes
Product Status:	Active
Current - Reverse Leakage @ Vr:	100 µA @ 650 V
Mounting Type:	Through Hole
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:	1.7 V @ 30 A
Package:	Tube
Series:	-
Capacitance @ Vr, F:	980pF @ 1V, 1MHz
Supplier Device Package:	TO-247-2
Reverse Recovery Time (trr):	0 ns
Mfr:	WeEn Semiconductors
Technology:	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Operating Temperature - Junction:	175°C
Package / Case:	TO-247-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):	650 V
Current - Average Rectified (Io):	30A
Speed:	No Recovery Time > 500mA (Io)
Base Product Number:	WNSC2

El número de unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad.

Diodo 650 V 30A a través del agujero TO-247-2

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