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Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo se deben incluir en el registro de los equipos.

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Descripción: Diodo de descarga de energía de 150 V 80 A SOT227

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Descripción de producto

Resaltar:

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Arrays de diodos	estado del producto:	Actividad
Corriente media rectificada (Io) (por diodo):	Las demás:	Temperatura de funcionamiento - Enlace:	-40 °C ~ 150 °C
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	880 mV @ 80 A	Paquete:	Las demás
Series:	-	Configuración del diodo:	2 Independiente
Paquete de dispositivos del proveedor:	El SOT-227	El Sr.:	Semiconductor GeneSiC
Tecnología:	¿ Qué es esto?	Envase / estuche:	El SOT-227-4, miniBLOC
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	Las demás:	Tipo de montaje:	Montura del chasis
Velocidad:	La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)	Número del producto de base:	Los datos de las pruebas de seguridad deben estar disponibles en el sitio web de la empresa.
Corriente - fuga inversa @ Vr:	3 mA @ 150 V

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Arrays de diodos
estado del producto:	Actividad
Corriente media rectificada (Io) (por diodo):	Las demás:
Temperatura de funcionamiento - Enlace:	-40 °C ~ 150 °C
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	880 mV @ 80 A
Paquete:	Las demás
Series:	-
Configuración del diodo:	2 Independiente
Paquete de dispositivos del proveedor:	El SOT-227
El Sr.:	Semiconductor GeneSiC
Tecnología:	¿ Qué es esto?
Envase / estuche:	El SOT-227-4, miniBLOC
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	Las demás:
Tipo de montaje:	Montura del chasis
Velocidad:	La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:	Los datos de las pruebas de seguridad deben estar disponibles en el sitio web de la empresa.
Corriente - fuga inversa @ Vr:	3 mA @ 150 V