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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Detalles del producto

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Descripción: El valor de las emisiones de dióxido de carbono se calculará en función de las emisiones de dióxido

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Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
5 μA @ 100 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.3 V @ 800 mA
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Capacidad @ Vr, F:
10pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
Sub-SMA
Tiempo de recuperación inverso (trr):
150 ns
El Sr.:
Taiwán Semiconductor Corporation
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:
DO-219AB
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
800mA
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
RS1B
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
5 μA @ 100 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.3 V @ 800 mA
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Capacidad @ Vr, F:
10pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
Sub-SMA
Tiempo de recuperación inverso (trr):
150 ns
El Sr.:
Taiwán Semiconductor Corporation
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:
DO-219AB
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
800mA
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
RS1B
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Diodo 100 V 800 mA Sub SMA montado en la superficie