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Descripción: Diodo de descarga de energía de 80 V 120 A

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Descripción de producto

Resaltar:

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Arrays de diodos	estado del producto:	Actividad
Corriente media rectificada (Io) (por diodo):	Las demás:	Temperatura de funcionamiento - Enlace:	-40 °C ~ 150 °C
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	840 mV @ 120 A	Paquete:	Las demás
Series:	-	Configuración del diodo:	2 Independiente
Paquete de dispositivos del proveedor:	El SOT-227	El Sr.:	Semiconductor GeneSiC
Tecnología:	¿ Qué es esto?	Envase / estuche:	El SOT-227-4, miniBLOC
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	Las demás:	Tipo de montaje:	Montura del chasis
Velocidad:	La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)	Número del producto de base:	MBR2X120
Corriente - fuga inversa @ Vr:	1 mA @ 80 V

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Arrays de diodos
estado del producto:	Actividad
Corriente media rectificada (Io) (por diodo):	Las demás:
Temperatura de funcionamiento - Enlace:	-40 °C ~ 150 °C
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	840 mV @ 120 A
Paquete:	Las demás
Series:	-
Configuración del diodo:	2 Independiente
Paquete de dispositivos del proveedor:	El SOT-227
El Sr.:	Semiconductor GeneSiC
Tecnología:	¿ Qué es esto?
Envase / estuche:	El SOT-227-4, miniBLOC
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	Las demás:
Tipo de montaje:	Montura del chasis
Velocidad:	La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:	MBR2X120
Corriente - fuga inversa @ Vr:	1 mA @ 80 V