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Cubierto en la parte superior de la parte superior inferior de la parte superior de la parte superior de la parte superior de la parte superior de la parte superior de la parte inferior de la parte superior de la parte superior de la parte inferior de la parte inferior de la parte superior de la parte superior de la parte superior de la parte inferior de la parte superior de la parte inferior de la parte superior de la parte superior de la parte inferior de la parte inferior de la parte inferior

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Descripción: DIODO SCHOTTKY 30V 2A US2H

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Descripción de producto

Resaltar:

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos	estado del producto:	Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:	500 μA @ 30 V	Tipo de montaje:	Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	410 mV @ 2 A	Paquete:	Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Series:	-	Capacidad @ Vr, F:	390pF @ 0V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:	US2H	El Sr.:	Toshiba Semiconductor y almacenamiento
Tecnología:	¿ Qué es esto?	Temperatura de funcionamiento - Enlace:	150°C (máximo)
Envase / estuche:	2-SMD, ventaja plana	La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	30 V
Corriente - promedio rectificado (Io):	2A	Velocidad:	La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:	Cuotas de las empresas

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:	Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:	500 μA @ 30 V
Tipo de montaje:	Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	410 mV @ 2 A
Paquete:	Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Series:	-
Capacidad @ Vr, F:	390pF @ 0V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:	US2H
El Sr.:	Toshiba Semiconductor y almacenamiento
Tecnología:	¿ Qué es esto?
Temperatura de funcionamiento - Enlace:	150°C (máximo)
Envase / estuche:	2-SMD, ventaja plana
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	30 V
Corriente - promedio rectificado (Io):	2A
Velocidad:	La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:	Cuotas de las empresas

Cubierto en la parte superior de la parte superior inferior de la parte superior de la parte superior de la parte superior de la parte superior de la parte superior de la parte inferior de la parte superior de la parte superior de la parte inferior de la parte inferior de la parte superior de la parte superior de la parte superior de la parte inferior de la parte superior de la parte inferior de la parte superior de la parte superior de la parte inferior de la parte inferior de la parte inferior

Diodo de 30 V 2A montado en la superficie US2H

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