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MURT40010R
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Descripción: MÓDULO DE DIODO 100V 200A 3TORRES

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Arrays de diodos
estado del producto:
Actividad
Corriente media rectificada (Io) (por diodo):
Las demás:
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 150 °C
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.3 V @ 200 A
Paquete:
Las demás
Series:
-
Configuración del diodo:
1 Par de ánodo común
Paquete de dispositivos del proveedor:
Tres Torres
Tiempo de recuperación inverso (trr):
125 ns
El Sr.:
Semiconductor GeneSiC
Tecnología:
Estándar
Envase / estuche:
Tres Torres
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Tipo de montaje:
Montura del chasis
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
MURT40010
Corriente - fuga inversa @ Vr:
25 μA @ 50 V
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Arrays de diodos
estado del producto:
Actividad
Corriente media rectificada (Io) (por diodo):
Las demás:
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 150 °C
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.3 V @ 200 A
Paquete:
Las demás
Series:
-
Configuración del diodo:
1 Par de ánodo común
Paquete de dispositivos del proveedor:
Tres Torres
Tiempo de recuperación inverso (trr):
125 ns
El Sr.:
Semiconductor GeneSiC
Tecnología:
Estándar
Envase / estuche:
Tres Torres
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Tipo de montaje:
Montura del chasis
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
MURT40010
Corriente - fuga inversa @ Vr:
25 μA @ 50 V
MURT40010R
Diodo 1 pareja Anodo común 100 V 200 A Chasis Torre de montaje tres

Tags:

Componentes electrónicos del OEM STM32L073V8T6,

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