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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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MSRTA30080AD

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Descripción: Diodo de generación de energía PURP 800V 300A 3 torre

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Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Arrays de diodos
estado del producto:
Actividad
Corriente media rectificada (Io) (por diodo):
300A
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 150 °C
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.1 V @ 300 A
Paquete:
Las demás
Series:
-
Configuración del diodo:
1 Conexión en serie de pares
Paquete de dispositivos del proveedor:
Tres Torres
El Sr.:
Semiconductor GeneSiC
Tecnología:
Estándar
Envase / estuche:
Tres Torres
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Tipo de montaje:
Montura del chasis
Velocidad:
La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
Se trata de un sistema de control de la calidad.
Corriente - fuga inversa @ Vr:
20 μA @ 800 V
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Arrays de diodos
estado del producto:
Actividad
Corriente media rectificada (Io) (por diodo):
300A
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 150 °C
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.1 V @ 300 A
Paquete:
Las demás
Series:
-
Configuración del diodo:
1 Conexión en serie de pares
Paquete de dispositivos del proveedor:
Tres Torres
El Sr.:
Semiconductor GeneSiC
Tecnología:
Estándar
Envase / estuche:
Tres Torres
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Tipo de montaje:
Montura del chasis
Velocidad:
La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
Se trata de un sistema de control de la calidad.
Corriente - fuga inversa @ Vr:
20 μA @ 800 V
MSRTA30080AD
Conexión en serie de 1 par de diodos en matriz 800 V 300A Montaje en chasis Tres torres