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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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Se aplicará el método de evaluación de la seguridad.

Detalles del producto

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Descripción: Se trata de un diodo genético de 1KV 2A DO219AA.

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Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
5 μA @ 1000 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.1 V @ 2 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
12.3pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
No obstante lo dispuesto en el apartado 1, el presente Reglamento no se aplicará a los productos que
Tiempo de recuperación inverso (trr):
µs 1
El Sr.:
Diodos incorporados
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:
No obstante lo dispuesto en el apartado 1, el presente Reglamento no se aplicará a los productos que
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
2A
Velocidad:
La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
5 μA @ 1000 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.1 V @ 2 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
12.3pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
No obstante lo dispuesto en el apartado 1, el presente Reglamento no se aplicará a los productos que
Tiempo de recuperación inverso (trr):
µs 1
El Sr.:
Diodos incorporados
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:
No obstante lo dispuesto en el apartado 1, el presente Reglamento no se aplicará a los productos que
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
2A
Velocidad:
La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io)
Se aplicará el método de evaluación de la seguridad.
Diodo de 1000 V 2A montado en la superficie DO-219AA