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Descripción: Diodo de generación 1.2KV 300A 3 torre

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Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Arrays de diodos
estado del producto:
Actividad
Corriente media rectificada (Io) (por diodo):
300A
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 150 °C
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
2.6 V @ 300 A
Paquete:
Las demás
Series:
-
Configuración del diodo:
1 Cátodo común de pareja
Paquete de dispositivos del proveedor:
Tres Torres
El Sr.:
Semiconductor GeneSiC
Tecnología:
Estándar
Envase / estuche:
Tres Torres
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Tipo de montaje:
Montura del chasis
Velocidad:
La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io)
Corriente - fuga inversa @ Vr:
25 μA @ 1200 V
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Arrays de diodos
estado del producto:
Actividad
Corriente media rectificada (Io) (por diodo):
300A
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 150 °C
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
2.6 V @ 300 A
Paquete:
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Velocidad:
La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io)
Corriente - fuga inversa @ Vr:
25 μA @ 1200 V
MURTA600120
Diodo 1 Pareja Cátodo común 1200 V 300A Chasis Torre de montaje tres

Tags:

Componentes electrónicos del OEM STM32L073V8T6,

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