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MURTA20060R, para el cual se utiliza el método de clasificación
MURTA20060R, para el cual se utiliza el método de clasificación

MURTA20060R, para el cual se utiliza el método de clasificación

Detalles del producto

Pago y términos de envío

Descripción: DIODO GEN PURP 600V 100A 3 TORRE

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Arrays de diodos
estado del producto:
Actividad
Corriente media rectificada (Io) (por diodo):
Las demás:
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 150 °C
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.7 V @ 100 A
Paquete:
Las demás
Series:
-
Configuración del diodo:
1 Par de ánodo común
Paquete de dispositivos del proveedor:
Tres Torres
El Sr.:
Semiconductor GeneSiC
Tecnología:
Estándar
Envase / estuche:
Tres Torres
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Tipo de montaje:
Montura del chasis
Velocidad:
La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
MURTA20060
Corriente - fuga inversa @ Vr:
25 μA @ 600 V
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Arrays de diodos
estado del producto:
Actividad
Corriente media rectificada (Io) (por diodo):
Las demás:
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 150 °C
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.7 V @ 100 A
Paquete:
Las demás
Series:
-
Configuración del diodo:
1 Par de ánodo común
Paquete de dispositivos del proveedor:
Tres Torres
El Sr.:
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Tecnología:
Estándar
Envase / estuche:
Tres Torres
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
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Tipo de montaje:
Montura del chasis
Velocidad:
La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
MURTA20060
Corriente - fuga inversa @ Vr:
25 μA @ 600 V
MURTA20060R, para el cual se utiliza el método de clasificación
Diodo 1 pareja Anodo común 600 V 100 A Chasis Torre de montaje tres

Tags:

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