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Las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo se realizarán en el momento en que se produzca el ensayo.

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Descripción: DIODO GEN PURP 200V 4A D-PAK

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Descripción de producto

Resaltar:

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos	estado del producto:	Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:	3 μA @ 200 V	Tipo de montaje:	Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	950 mV @ 4 A	Paquete:	Cintas y bobinas (TR)
Series:	FRED Pt®	Capacidad @ Vr, F:	-
Paquete de dispositivos del proveedor:	D-PAK (TO-252AA)	Tiempo de recuperación inverso (trr):	20 ns
El Sr.:	Vishay General Semiconductor - División de diodos	Tecnología:	Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:	-65 °C ~ 175 °C	Envase / estuche:	TO-252-3, DPak (2 Pistas + Tab), SC-63
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	Las demás:	Corriente - promedio rectificado (Io):	4a
Velocidad:	La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)	Número del producto de base:	4EWH02

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:	Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:	3 μA @ 200 V
Tipo de montaje:	Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	950 mV @ 4 A
Paquete:	Cintas y bobinas (TR)
Series:	FRED Pt®
Capacidad @ Vr, F:	-
Paquete de dispositivos del proveedor:	D-PAK (TO-252AA)
Tiempo de recuperación inverso (trr):	20 ns
El Sr.:	Vishay General Semiconductor - División de diodos
Tecnología:	Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:	-65 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:	TO-252-3, DPak (2 Pistas + Tab), SC-63
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):	4a
Velocidad:	La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:	4EWH02