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G3S06508B: el número de unidades de producción

Detalles del producto

Pago y términos de envío

Descripción: Se trata de un diodo SIC SCHOTTKY 650V 8A de 3 pines.

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Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Arrays de diodos
estado del producto:
Actividad
Corriente media rectificada (Io) (por diodo):
Se aplicará el método de ensayo.
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 175 °C
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.7 V @ 8 A
Paquete:
Corte la cinta (los CT) Cinta y caja (TB)
Series:
-
Configuración del diodo:
1 Cátodo común de pareja
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se trata de un sistema de control de la calidad.
Tiempo de recuperación inverso (trr):
0 años
El Sr.:
Tecnología energética global-GPT
Tecnología:
Sic (carburo de silicio) Schottky
Envase / estuche:
TO-247-3
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Velocidad:
No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)
Corriente - fuga inversa @ Vr:
50 μA @ 650 V
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Arrays de diodos
estado del producto:
Actividad
Corriente media rectificada (Io) (por diodo):
Se aplicará el método de ensayo.
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 175 °C
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.7 V @ 8 A
Paquete:
Corte la cinta (los CT) Cinta y caja (TB)
Series:
-
Configuración del diodo:
1 Cátodo común de pareja
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se trata de un sistema de control de la calidad.
Tiempo de recuperación inverso (trr):
0 años
El Sr.:
Tecnología energética global-GPT
Tecnología:
Sic (carburo de silicio) Schottky
Envase / estuche:
TO-247-3
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Velocidad:
No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)
Corriente - fuga inversa @ Vr:
50 μA @ 650 V
G3S06508B: el número de unidades de producción
Diodo 1 Pareja Cátodo común 650 V 14A (DC) a través del agujero TO-247-3