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Descripción: Diodo GP 7.5KV 100MA en el eje S

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Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 175 °C
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
10 V @ 100 mA
Paquete:
Las demás
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
S, en el eje
El Sr.:
Tecnología de microchips
Tecnología:
Estándar
Envase / estuche:
S, en el eje
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
7500 V
Corriente - promedio rectificado (Io):
El valor de las emisiones
Velocidad:
Se trata de una señal pequeña = < 200 mA (Io), cualquier velocidad
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 175 °C
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
10 V @ 100 mA
Paquete:
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-
Capacidad @ Vr, F:
-
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S, en el eje
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
7500 V
Corriente - promedio rectificado (Io):
El valor de las emisiones
Velocidad:
Se trata de una señal pequeña = < 200 mA (Io), cualquier velocidad
El número de unidades de producción es:
Diodo 7500 V 100 mA a través del agujero S, axial

Tags:

Componentes electrónicos del OEM STM32L073V8T6,

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