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TRS4E65F,S1Q: el número de unidades
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Detalles del producto

Pago y términos de envío

Descripción: DIODO SIL CARB 650V 4A TO220-2L

Consiga el mejor precio

Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
20 µA a 650 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.6 V @ 4 A
Paquete:
El tubo
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
16pF @ 650V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de CO2
Tiempo de recuperación inverso (trr):
0 años
El Sr.:
Toshiba Semiconductor y almacenamiento
Tecnología:
Sic (carburo de silicio) Schottky
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
175°C (máximo)
Envase / estuche:
TO-220-2
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corriente - promedio rectificado (Io):
4a
Velocidad:
No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)
Número del producto de base:
TRS4E65, el cual es el siguiente:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
20 µA a 650 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.6 V @ 4 A
Paquete:
El tubo
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
16pF @ 650V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de CO2
Tiempo de recuperación inverso (trr):
0 años
El Sr.:
Toshiba Semiconductor y almacenamiento
Tecnología:
Sic (carburo de silicio) Schottky
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
175°C (máximo)
Envase / estuche:
TO-220-2
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
650 V
Corriente - promedio rectificado (Io):
4a
Velocidad:
No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)
Número del producto de base:
TRS4E65, el cual es el siguiente:
TRS4E65F,S1Q: el número de unidades
Diodo 650 V 4A a través del agujero TO-220-2L

Tags:

Componentes electrónicos del OEM STM32L073V8T6,

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