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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo se especifican en el anexo II.

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Descripción de producto

Resaltar:

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos	estado del producto:	No para nuevos diseños
Corriente - fuga inversa @ Vr:	10 μA @ 800 V	Tipo de montaje:	Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	1.1 V @ 1 A	Paquete:	Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC)
Series:	-	Capacidad @ Vr, F:	-
Paquete de dispositivos del proveedor:	el eje	El Sr.:	En el caso de las
Tecnología:	Estándar	Temperatura de funcionamiento - Enlace:	-65 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:	Se aplican las siguientes medidas:	La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):	1a	Velocidad:	La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:	1N4006

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:	No para nuevos diseños
Corriente - fuga inversa @ Vr:	10 μA @ 800 V
Tipo de montaje:	Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	1.1 V @ 1 A
Paquete:	Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC)
Series:	-
Capacidad @ Vr, F:	-
Paquete de dispositivos del proveedor:	el eje
El Sr.:	En el caso de las
Tecnología:	Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:	-65 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:	Se aplican las siguientes medidas:
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):	1a
Velocidad:	La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:	1N4006