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MF100U12F2-BP
MF100U12F2-BP

MF100U12F2-BP

Detalles del producto

Pago y términos de envío

Descripción: Diodo de generación de energía PURP 1.2KV 100A F2

Consiga el mejor precio

Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
1 mA @ 1200 V
Tipo de montaje:
Montura del chasis
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.58 V a 100 A
Paquete:
Las demás
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
F2
Tiempo de recuperación inverso (trr):
135 ns
El Sr.:
Micro Commercial Co.
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-40 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:
Modulo F2
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
Las demás:
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
MF100U12
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
1 mA @ 1200 V
Tipo de montaje:
Montura del chasis
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.58 V a 100 A
Paquete:
Las demás
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
F2
Tiempo de recuperación inverso (trr):
135 ns
El Sr.:
Micro Commercial Co.
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-40 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:
Modulo F2
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
Las demás:
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
MF100U12
MF100U12F2-BP
Diodo de 1200 V 100 A Montura del chasis F2

Tags:

Componentes electrónicos del OEM STM32L073V8T6,

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