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Detalles del producto

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Descripción: Se aplicará el método de ensayo de las partidas de la matriz de la matriz.

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
10 μA @ 800 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.85 V @ 4 A
Paquete:
Corte la cinta (los CT) Cinta y caja (TB)
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
DO-201AD
Tiempo de recuperación inverso (trr):
75 ns
El Sr.:
Panjit Internacional Inc.
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:
DO-201AD, axial
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
4a
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
Envases y embalajes
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
10 μA @ 800 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.85 V @ 4 A
Paquete:
Corte la cinta (los CT) Cinta y caja (TB)
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
DO-201AD
Tiempo de recuperación inverso (trr):
75 ns
El Sr.:
Panjit Internacional Inc.
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:
DO-201AD, axial
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
4a
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
Envases y embalajes
UF4O2O2
Diodo 800 V 4A a través del agujero DO-201AD

Tags:

Componentes electrónicos del OEM STM32L073V8T6,

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