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El número de unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga

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Descripción de producto

Resaltar:

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos	estado del producto:	Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:	1 μA @ 400 V	Tipo de montaje:	Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	1.25 V @ 3 A	Paquete:	Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Series:	-	Capacidad @ Vr, F:	40pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:	El número de unidades de producción	Tiempo de recuperación inverso (trr):	25 ns
El Sr.:	Panjit Internacional Inc.	Tecnología:	Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:	-55 °C ~ 150 °C	Envase / estuche:	DO-221AA, SMB Conducciones planas
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	Las demás:	Corriente - promedio rectificado (Io):	3A
Velocidad:	La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)	Número del producto de base:	ERT3GAF

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:	Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:	1 μA @ 400 V
Tipo de montaje:	Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	1.25 V @ 3 A
Paquete:	Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Series:	-
Capacidad @ Vr, F:	40pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:	El número de unidades de producción
Tiempo de recuperación inverso (trr):	25 ns
El Sr.:	Panjit Internacional Inc.
Tecnología:	Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:	-55 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:	DO-221AA, SMB Conducciones planas
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):	3A
Velocidad:	La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:	ERT3GAF