Detalles del producto
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Descripción: Diodo de carbono de silício 3.3KV 30A TO247
Categoría: |
Productos discretos de semiconductores
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos |
estado del producto: |
Actividad |
Temperatura de funcionamiento - Enlace: |
- |
Tipo de montaje: |
Orificio pasante |
Paquete: |
Las demás |
Series: |
- |
Capacidad @ Vr, F: |
- |
Paquete de dispositivos del proveedor: |
TO-247 |
Tiempo de recuperación inverso (trr): |
0 años |
El Sr.: |
Tecnología de microchips |
Tecnología: |
Sic (carburo de silicio) Schottky |
Envase / estuche: |
TO-247-2 |
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo): |
Los demás |
Corriente - promedio rectificado (Io): |
30A |
Velocidad: |
No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io) |
Categoría: |
Productos discretos de semiconductores
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos |
estado del producto: |
Actividad |
Temperatura de funcionamiento - Enlace: |
- |
Tipo de montaje: |
Orificio pasante |
Paquete: |
Las demás |
Series: |
- |
Capacidad @ Vr, F: |
- |
Paquete de dispositivos del proveedor: |
TO-247 |
Tiempo de recuperación inverso (trr): |
0 años |
El Sr.: |
Tecnología de microchips |
Tecnología: |
Sic (carburo de silicio) Schottky |
Envase / estuche: |
TO-247-2 |
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo): |
Los demás |
Corriente - promedio rectificado (Io): |
30A |
Velocidad: |
No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io) |