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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.

1N5617

Detalles del producto

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Descripción: Diodo de generación de energía PURP 400V 1A

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Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
El valor de las emisiones de CO2 será el siguiente:
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.6 V @ 3 A
Paquete:
Las demás
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
35pF @ 12V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
A, en el eje
Tiempo de recuperación inverso (trr):
150 ns
El Sr.:
Tecnología de microchips
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
A, en el eje
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
1a
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
1N5617
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
El valor de las emisiones de CO2 será el siguiente:
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.6 V @ 3 A
Paquete:
Las demás
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
35pF @ 12V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
A, en el eje
Tiempo de recuperación inverso (trr):
150 ns
El Sr.:
Tecnología de microchips
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
A, en el eje
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
1a
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
1N5617
1N5617
Diodo 400 V 1A a través del orificio A, axial