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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo se especifican en el anexo II.

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Descripción: DIODO AVALANCHA 800V 3A SOD64

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Descripción de producto

Resaltar:

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos	estado del producto:	Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:	1 μA @ 800 V	Tipo de montaje:	Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	1 V @ 3 A	Paquete:	Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC)
Series:	-	Capacidad @ Vr, F:	60pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:	El SOD-64	Tiempo de recuperación inverso (trr):	7.5 μs
El Sr.:	Vishay General Semiconductor - División de diodos	Tecnología:	Avalancha
Temperatura de funcionamiento - Enlace:	-55 °C ~ 175 °C	Envase / estuche:	SOD-64, Axial
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	Las demás:	Corriente - promedio rectificado (Io):	3A
Velocidad:	La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io)	Número del producto de base:	1N5627

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:	Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:	1 μA @ 800 V
Tipo de montaje:	Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	1 V @ 3 A
Paquete:	Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC)
Series:	-
Capacidad @ Vr, F:	60pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:	El SOD-64
Tiempo de recuperación inverso (trr):	7.5 μs
El Sr.:	Vishay General Semiconductor - División de diodos
Tecnología:	Avalancha
Temperatura de funcionamiento - Enlace:	-55 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:	SOD-64, Axial
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):	3A
Velocidad:	La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:	1N5627