Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos	estado del producto:	Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:	5 μA @ 20 V	Tipo de montaje:	Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	600 milivoltio @ 200 mA	Paquete:	Corte la cinta (los CT) Cinta y caja (TB)
Series:	Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.	Capacidad @ Vr, F:	50 pF @ 0V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:	Se incluyen en la lista de productos de la categoría "A" los productos de la categoría "A" incluidos	Tiempo de recuperación inverso (trr):	10 ns
El Sr.:	Vishay General Semiconductor - División de diodos	Tecnología:	¿ Qué es esto?
Temperatura de funcionamiento - Enlace:	125°C (máximo)	Envase / estuche:	Se aplican las siguientes medidas:
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	30 V	Corriente - promedio rectificado (Io):	200 mA
Velocidad:	La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)	Número del producto de base:	No se puede utilizar.

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:	Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:	5 μA @ 20 V
Tipo de montaje:	Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	600 milivoltio @ 200 mA
Paquete:	Corte la cinta (los CT) Cinta y caja (TB)
Series:	Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Capacidad @ Vr, F:	50 pF @ 0V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:	Se incluyen en la lista de productos de la categoría "A" los productos de la categoría "A" incluidos
Tiempo de recuperación inverso (trr):	10 ns
El Sr.:	Vishay General Semiconductor - División de diodos
Tecnología:	¿ Qué es esto?
Temperatura de funcionamiento - Enlace:	125°C (máximo)
Envase / estuche:	Se aplican las siguientes medidas:
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	30 V
Corriente - promedio rectificado (Io):	200 mA
Velocidad:	La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:	No se puede utilizar.