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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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1SS82RE-E

Detalles del producto

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Descripción: Diodo 200V 200MA DO35

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Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1 V @ 100 mA
Paquete:
Las demás
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
1.5pF @ 0V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
El DO-35
Tiempo de recuperación inverso (trr):
100 ns
El Sr.:
Renesas Electronics América Inc.
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
175°C
Envase / estuche:
Se aplican las siguientes medidas:
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
200 mA
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1 V @ 100 mA
Paquete:
Las demás
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
1.5pF @ 0V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
El DO-35
Tiempo de recuperación inverso (trr):
100 ns
El Sr.:
Renesas Electronics América Inc.
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
175°C
Envase / estuche:
Se aplican las siguientes medidas:
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
200 mA
1SS82RE-E
Diodo 200 V 200mA a través del agujero DO-35