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Las medidas de seguridad deben tener en cuenta los requisitos de seguridad establecidos en el anexo II.

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Descripción de producto

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Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Arrays de diodos	estado del producto:	No está disponible
Corriente media rectificada (Io) (por diodo):	20A	Temperatura de funcionamiento - Enlace:	175°C (máximo)
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	810 mV @ 20 A	Paquete:	Cintas y bobinas (TR)
Series:	Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.	Configuración del diodo:	1 Cátodo común de pareja
Paquete de dispositivos del proveedor:	En el caso de los productos de la categoría A, el número de la categoría A será el siguiente:	El Sr.:	Vishay General Semiconductor - División de diodos
Tecnología:	¿ Qué es esto?	Envase / estuche:	TO-263-3, D2Pak (2 plumas + pestaña), TO-263AB
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	Las demás:	Tipo de montaje:	Montura de la superficie
Velocidad:	La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)	Número del producto de base:	43CTQ080
Corriente - fuga inversa @ Vr:	360 μA @ 80 V

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Arrays de diodos
estado del producto:	No está disponible
Corriente media rectificada (Io) (por diodo):	20A
Temperatura de funcionamiento - Enlace:	175°C (máximo)
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	810 mV @ 20 A
Paquete:	Cintas y bobinas (TR)
Series:	Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Configuración del diodo:	1 Cátodo común de pareja
Paquete de dispositivos del proveedor:	En el caso de los productos de la categoría A, el número de la categoría A será el siguiente:
El Sr.:	Vishay General Semiconductor - División de diodos
Tecnología:	¿ Qué es esto?
Envase / estuche:	TO-263-3, D2Pak (2 plumas + pestaña), TO-263AB
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	Las demás:
Tipo de montaje:	Montura de la superficie
Velocidad:	La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:	43CTQ080
Corriente - fuga inversa @ Vr:	360 μA @ 80 V