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Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
El valor de las emisiones de CO2 será igual o superior a:
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
840 mV @ 2 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
75 pF @ 1V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
SOD-123W
Tiempo de recuperación inverso (trr):
11 ns
El Sr.:
Nexperia EE.UU. Inc.
Tecnología:
SiGe (Silicio Germanio)
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
175°C (máximo)
Envase / estuche:
SOD-123W
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
120 V
Corriente - promedio rectificado (Io):
2A
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
PMEG120
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
El valor de las emisiones de CO2 será igual o superior a:
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
840 mV @ 2 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
75 pF @ 1V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
SOD-123W
Tiempo de recuperación inverso (trr):
11 ns
El Sr.:
Nexperia EE.UU. Inc.
Tecnología:
SiGe (Silicio Germanio)
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
175°C (máximo)
Envase / estuche:
SOD-123W
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
120 V
Corriente - promedio rectificado (Io):
2A
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
PMEG120
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Diodo 120 V 2A montado en la superficie SOD-123W

Tags:

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