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Los datos de las pruebas de seguridad deben estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente.

Detalles del producto

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Descripción: Diodo SIL CARB 1.2KV 16A TO220-1

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Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
50 μA @ 1200 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.95 V @ 16 A
Paquete:
El tubo
Series:
CoolSiC™+
Capacidad @ Vr, F:
730pF @ 1V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se trata de una serie de medidas de seguridad.
Tiempo de recuperación inverso (trr):
0 años
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Tecnología:
Sic (carburo de silicio) Schottky
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
TO-220-2
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
16A
Velocidad:
No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)
Número del producto de base:
Se aplican las siguientes medidas:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
50 μA @ 1200 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.95 V @ 16 A
Paquete:
El tubo
Series:
CoolSiC™+
Capacidad @ Vr, F:
730pF @ 1V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se trata de una serie de medidas de seguridad.
Tiempo de recuperación inverso (trr):
0 años
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Tecnología:
Sic (carburo de silicio) Schottky
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
TO-220-2
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
16A
Velocidad:
No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)
Número del producto de base:
Se aplican las siguientes medidas:
Los datos de las pruebas de seguridad deben estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente.
Diodo 1200 V 16A a través del agujero PG-TO220-2-1